单晶硅漩涡缺陷

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在图中我们可以清晰的看到漩涡缺陷,它们是点缺陷的聚集,产生于硅棒

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pecvd工艺制备背面氮化硅薄膜对双面 单晶硅太阳电池el发黑的影响

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